VIII Региональный семинар МНЭиМС-2016, Орел, 29 апреля 2016 - VIII Regional Seminar MNE&MS 2015, March 27 2015, Orel, Russia.

Учебно-научно-исследовательская лаборатория приборно-технологического моделирования микро- и наноэлектроники (УНИЛ ПТММиН)
Кафедра «Физика» ФЕНГО
Факультет естественно-научного и гуманитарного образования (ФЕНГО)
Научно-образовательный центр нанотехнологий «ОрёлНано»
ФГБОУ ВО «Орловский государственный университет имени И.С.Тургенева»


VIII Региональный семинар
«Компьютерное моделирование и проектирование микро- и наноэлектроники и микроэлектромеханических систем» (МНЭиМС-2016)
г. Орёл, 29 апреля 2016
Orel, Russia, April 29 2016

Информационное письмо (pdf)

Анкета (doc)

Предварительная программа семинара (pdf)



The 8th Regional Seminar
on Computer Modeling and Design in
Micro- and Nanoelectronics and in
Microelectromechanical Systems
(MNE&MS 2016)
Orel, Russia, April 29 2016

Announcement for Seminar (pdf)

Registration Form (doc)



Устные доклады:

  1. Матюхин С.И.
    Приветствие к участникам семинара
    Факультет естественно-научного и гуманитарного образования (ФЕНГО)
    ОГУ имени И.С. Тургенева

  2. Писарев А.А. 1, Матюхин С.И. 2 Разработка пакета компьютерных программ для автоматизированного проектирования
    силовых полупроводниковых приборов

    1 ЗАО «Протон-Электротекс»
    2 ОГУ имени И.С. Тургенева

  3. Малый Д.О.1, Вишняков А.С. 1, Матюхин С.И. 2 Проблема термомеханических деформаций в IGBT модулях
    1 ЗАО «Протон-Электротекс»
    2 ОГУ имени И.С. Тургенева

  4. Титушкин Д.А. 1, Заночкин Е.А. 2, Петрухин А.Д.2, Матюхин С.И. 2 Оптимизация силовых полупроводниковых приборов посредством моделирования остаточных деформаций и термомеханических напряжений в полупроводниковой структуре
    1 ЗАО «Протон-Электротекс»
    2 ОГУ имени И.С. Тургенева

  5. Вишняков А.С. 1, Малый Д.О. 1, Матюхин С.И. 2 Моделирование тепловых полей
    1 ЗАО «Протон-Электротекс»
    2 ОГУ имени И.С. Тургенева

  6. Поярков В.Н. 1, Шкарлат Р.С. 2, Кшенский О.Н. 1 Оценка чистоты оксидных плёнок на поверхности кремния с помощью измерения вольт-фарадной характеристики системы
    1 ОАО «Болховский завод полупроводниковых приборов»
    2 ОГУ имени И.С. Тургенева

  7. Рогов А.П. 1, Турин В.О. 1, Цырлов А.М. 2 Приборно-технологическое моделирование технологии изготовления кремниевого ДМОП транзистора
    1 ОГУ имени И.С. Тургенева
    2 АО «Протон»

  8. Турин В.О. Применение метода изображений к расчету распределения температуры в транзисторной структуре
    ОГУ имени И.С. Тургенева

  9. Рахматов Б.А. 1, Турин В.О. 1, Ким Ч. 2, Инигез Б. 3 Уравнение для тока стока органического полевого транзистора с корректным учётом ненулевой дифференциальной проводимости в режиме насыщения
    1 ОГУ имени И.С. Тургенева
    2 Институт науки и технологии Кванджу, Республика Корея
    3 Университет Ровира и Вирджинии, г. Тарагона, Испания