V Региональный семинар / V Regional Seminar

29-го марта 2013, г. Орёл, Наугорское шоссе, д. 29

Программа

Выступления

  1. С.И. Матюхин1, Приветствие к участникам семинара,
    1Госуниверситет-УНПК

  2. Турин В.О.1, А.С. Студенников1, 2, Е.В. Гостенков1, А.М. Цырлов2, Г.И. Зебрев3, C.Макаров4, Б. Инигез5, М.С. Шур6, Компактное моделирование МОП-транзисторов на Verilog-A в САПР SYMICA,
    1Госуниверситет-УНПК
    2ОАО «Протон»
    3НИЯУ «МИФИ»
    4ООО «Интегральные решения»,
    5URV Испания
    6RPI США

  3. Макаров С.В.1, Турин В.О.2, Возможности отечественной САПР интегральных микросхем SYMICA,
    1ООО «Интегральные решения», г. Зеленоград
    2Госуниверситет-УНПК

  4. Цырлов А.М., Опыт применения сквозной САПР для разработки высоковольтной ИС контролера,
    ОАО «Протон», г. Орёл

  5. Ястребов П.В., Направления работы ЗАО «Группа Кремний Эл»,
    ЗАО «Группа Кремний Эл», г. Брянск

  6. Романов А.В., Направления работы ЗАО «ОКБ Микроэлектроники»,
    ЗАО «ОКБ Микроэлектроники», г. Калуга

  7. Писарев А.А., Сурма А.М., Черников А.А., Моделирование процесса обратного восстановления высоковольтных тиристоров,
    ЗАО «Протон-Электротекс», г. Орёл

  8. Козил З.1, Будулёва Е.А.2, Роль времени рассеяния носителей на квантовой яме ДГС лазеров в формировании разрывов на оптико-электрических характеристиках,
    1Госуниверситет-УНПК
    2Орловский государственный университет

  9. Макулевский Г.Р., Малый Д.О., Матюхин С.И., Приборно-технологическое моделирование вольт-амперной характеристики лазерного диода на основе арсенида галлия,
    Госуниверситет-УНПК

Стендовые доклады

  1. Марков О.И., Влияние вида распределения носителей заряда на эффективность ветви охлаждающего термоэлемент,
    Орловский государственный университет

  2. Шадрин И.Ф., Жёсткие стержни и круги на двумерной поверхности. Формование наноразмерных агрегатов (кластеров),
    Госуниверситет-УНПК.

  3. Ставцев К.Ю., Полякова А.Г., Турин В.О., Компактное и приборно-технологическое моделирование шунтирующего диода в структуре ДМОП-транзистора,
    Госуниверситет-УНПК.

  4. Ставцев К.Ю., Матюхин С.И., «Моделирование сварочного диода в TCAD Sentaurus»,
    Госуниверситет-УНПК.

  5. Гостенков Е.В.1, Турин В.О.1, Ващенко В.А.2, Моделирование ВАХ вертикальной части стока ДМОП-транзистора с учётом режима ТОПЗ на Verilog-A в САПР SYMICA и методом конечных элементов в ESD-симуляторе DECIMM,
    1Госуниверситет-УНПК
    2Angstrom Design Automation Ltd. США

  6. Кшенский О.Н.1, Сотников В.Н.2, Козил З.2, Турин В.О.2, Моделирование мощного биполярного транзистора,
    1ЗАО «БЗПП», г. Болхов
    2Госуниверситет-УНПК



ERROR: Invalid log file!