IV Региональный семинар / IV Regional Seminar

30-го марта 2012, г. Орёл, Наугорское шоссе, д. 29

Программа

Выступления

  1. С.И. Матюхин1, Приветствие к участникам семинара»,
    1Госуниверситет-УНПК

  2. 1Турин В.О., 2Зебрев Г.И.2, 3Дорофеев А.А., Приборно-технологическое моделирование эффекта саморазогрева в GaN HEMT,
    1Госуниверситет-УНПК,
    2НИЯУ «МИФИ»,
    33ФГУП НПП «Пульсар»

  3. 1Турин В.О., 2Зебрев Г.И., 3Инигез Б.3, 4Шур М.С., Корректный учёт ненулевой дифференциальной проводимости в компактной модели полевого транзистора в режиме насыщения из-за эффекта саморазогрева и из-за короткоканальных эффектов,
    1Госуниверситет-УНПК,
    2НИЯУ «МИФИ»,
    3Университет Ровира и Вирджинии, Испания,
    4Ренсселаеровский политехнический институт, США

  4. Гаранович Д.И., Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Проектирование устройств защиты от электростатического разряда для биполярных интегральных схем,
    ФГУП НПП «Пульсар»

  5. Дроздов Д.Г., Савченко Е.М., Сиомко В.О., Исследование моделей для расчёта транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN
    ФГУП НПП «Пульсар»

  6. Сиомко В.О., Дроздов Д.Г., Савченко Е.М., Исследование методов расчёта пробивного напряжения транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN
    ФГУП НПП «Пульсар»

  7. 1Козил З., 2Бирнер С., 3Дупуис А.Р., Nextnano: Приборно-технологическое моделирование транспорта в квантовой яме полупроводниковых лазеров с двойным ограничением
    1Госуниверситет-УНПК,
    2Walter Schottky Institut, Technische Universität Munchen, Germany,
    3Matco Industries Inc., Scarborough, Ontario, Canada

  8. Козил З., Дифференциальное сопротивление ВАХ характеристик полупроводниковых лазеров с двойным ограничением и их оптическая эффективность
    Госуниверситет-УНПК

  9. Титушкин Д.А., Матюхин С.И., Моделирование электронно-оптической системы светодиодов в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys,
    Госуниверситет-УНПК

  10. Макулевский Г.Р., Малый Д.О., Матюхин С.И., Исследование зависимости характеристик ДГС РО лазера от структуры волновода с учетом тепловых эффектов,
    Госуниверситет-УНПК

  11. Малый Д.О., Макулевский Г.Р, Матюхин С.И., Исследование влияния теплоотвода на электрические и оптические характеристики полупроводниковых ДГС РО лазеров при помощи методов приборно-технологического моделирования
    Госуниверситет-УНПК

  12. Цырлов А.М., Черкасов М.А., Технические требования к средствам анализа и моделирования мощных устройств коммутационной техники,
    ОАО «ПРОТОН»

  13. Чернышов К.Н., Матюхин С.И., Компьютерное моделирование диффузионной технологии изготовления IGBT,
    Госуниверситет-УНПК

  14. 1,2Писарев А.А., 1Матюхин С.И., 2Ставцев А.В., Компьютерное моделирование тиристора
    1Госуниверситет-УНПК,
    2ЗАО «Протон-Электротекс»

  15. 1Студенников А.С., 1Турин В.О., 2Цырлов А.М., Компактное моделирование кремниевого вертикального МОП-транзистора с двойной диффузией в программе Quite Universal Circuit Simulator
    1Госуниверситет-УНПК,
    2ОАО «Протон»

  16. 1Турин В.О., 1Иванова В.В., 2Цырлов А.М., 3Мартемьянов И.С., Моделирование кремниевого вертикального МОП-транзистора с двойной диффузией в программе TCAD Synopsys,
    1Госуниверситет-УНПК,
    2ОАО «Протон»,
    3СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

  17. 1Матюхин С.И., 1Карташов А.А., Технология моделирования светодиодов в пакете приборно-технологического моделирования Sentaurus TCAD ,
    1Госуниверситет-УНПК



ERROR: Invalid log file!